高普考題庫
104 年 104年公務人員高等考試三級考試暨普通考試

半導體工程

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本卷皆為申論題，點「看答案與解析」查看擬答。

申論 1化學氣相沉積（CVD）製程操作於表面反應受限區（surface-reaction-limited regime），已知波茲曼常數k = 1.38×10-23 J/K，e = 1.6×10-19 C，假設先導物（precursor）濃度不變，請求出：（每小題10 分，共20 分）㈠反應速率活化能E= 0.5 eV 固定，T = 450 K 之反應速率為T = 400 K 之幾倍？a㈡T = 400 K 固定，當E= 0.4 eV 時之反應速率為E= 0.5 eV 之幾倍？a a
申論 2閘極介電層製程含三層，材料之厚度分別為 30 nm（AlO）、20 nm（HfO）及10 nm（SiO），已知其介電常數（dielectric constant）分別為9（AlO）、25（HfO）及3.9（SiO），請求出：（每小題10 分，共20 分）㈠三層堆疊換算成SiO 之等效厚度（equivalent oxide thickness）為多少？㈡加上偏壓5 V 於三層材料，各別之壓降V、V及V為多少？Al2O3HfO2SiO2
申論 3在n 通道MOSFET 製程技術中，利用間隙壁（spacer）及兩次離子佈植實施LDD（lightly doped drain）結構，請說明製程步驟。（15 分）
申論 4在p 通道MOSFET 製程技術中，利用深淺不同之離子佈植進行臨限電壓調整（V-adjust）及抗擊穿（antipunch-through）佈植，請以p-MOSFET 元件結構剖面T圖說明兩佈植區域位置及其實施理由。（15 分）
申論 5TEOS（tetra-ethyloxy-silane）oxide 常使用於PMD（premetal dielectric）及IMD（intermetal dielectric），若不加其他摻雜物稱為USG（undoped silicate glass），請說明：（每小題5 分，共15 分）㈠PSG 用途為何及需摻雜何種元素。㈡BPSG 用途為何及需摻雜何種元素。㈢FSG 用途為何及需摻雜何種元素。
申論 6在電漿（plasma）應用製程中，兩電極間加上RF，因電子移動速度較離子快，會形成電漿電位（plasma potential）V，令電漿相對RF 電極之直流壓降（DC bias）為PV，相對接地電極之直流壓降為V，RF 電極面積為A，接地電極面積為A，其xyxy中 A = n A，關係式為 V/V = n4。已知兩電極間之自偏壓（self-bias）為V 的yxxyy1.25 倍，V = 20 V，請求出：P㈠n =？（8 分）㈡DC bias =？（7 分）