104 年 104年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 1化學氣相沉積（CVD）製程操作於表面反應受限區（surface-reaction-limited regime），已知波茲曼常數k = 1.38×10-23 J/K，e = 1.6×10-19 C，假設先導物（precursor）濃度不變，請求出：（每小題10 分，共20 分）㈠反應速率活化能E= 0.5 eV 固定，T = 450 K 之反應速率為T = 400 K 之幾倍？a㈡T = 400 K 固定，當E= 0.4 eV 時之反應速率為E= 0.5 eV 之幾倍？a a 看答案與解析