104 年 104年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 4在p 通道MOSFET 製程技術中，利用深淺不同之離子佈植進行臨限電壓調整（V-adjust）及抗擊穿（antipunch-through）佈植，請以p-MOSFET 元件結構剖面T圖說明兩佈植區域位置及其實施理由。（15 分） 看答案與解析