申論 1X 光繞射分析為解析材料晶體結構常用的技術，㈠請說明X 光繞射原理。（10 分）㈡當欲分析的樣品為薄膜時，一般會選用低掠角X 光繞射儀，請說明其原因。（5 分）㈢若改以電子束進行繞射，所得繞射結果有何異同？（10 分）
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弱點分析
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申論 2由於材料及應用的發展趨勢均朝向微小化，微結構的觀察在製程開發上顯得相當重要，目前穿透式電子顯微鏡的高解析影像（HRTEM）及掃瞄穿透式電子顯微鏡的高角度環形暗場像（STEM/HAADF）均能得到原子級的解析度，㈠請說明解析度的定義？（5 分）㈡請說明以上兩種設備之解析度主要決定因素分別為何？（10 分）㈢請說明以上兩種方式形成原子級解析度影像的機制。（10 分）
申論 3EDS 是分析樣品組成時常用的技術，㈠請說明其分析原理，（10 分）㈡EDS通常被認為僅能做半定量分析，請說明其原因，（10 分）㈢如何判斷所得EDS 數據的好壞？（5 分）
申論 4材料的局部電子結構，例如金屬元素的價態，對材料特性極為重要。XAS為目前常用的電子結構分析方法，㈠請說明經由XAS 分析可獲得那些材料訊息，並說明XAS 的分析原理，（20 分）㈡與EELS 相比，何者能分析的能量範圍較大？（5 分）