109 年 109年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・醫用電子學 申論 1考量摻雜砷原子濃度8×10cm的矽半導體材料，其電子移動率（electron mobility）與電洞移動率（hole mobility）分別是1350 cm2/V sec和480 cm2/V sec；在絕對溫度為300 K，外加電場100 V/cm時，請計算其漂移電流密度（drift current density）之大小。（20分）ߨ 看答案與解析