申論 1考量摻雜砷原子濃度8×10cm的矽半導體材料，其電子移動率（electron mobility）與電洞移動率（hole mobility）分別是1350 cm2/V sec和480 cm2/V sec；在絕對溫度為300 K，外加電場100 V/cm時，請計算其漂移電流密度（drift current density）之大小。（20分）ߨ
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申論 2有位醫工系學生設計整流電路如圖一所示，測試時輸入電壓波形v為i40 sin(120t) V；假設二極體為理想元件，請說明其運作原理與繪製輸出電壓v隨時間變化之波形，和計算其輸出電壓之均方根值。（20分）oDD2vivR=o2.2 kΩRL=R2=2.2 kΩ2.2 kΩ圖一
申論 3有位醫學工程師設計一信號整合電路如圖二所示，請推導出v與v、v、OI1I2v、v之關係。（20分）I3I4vI1RvR11FvvI2RvOvI3RAvRI4RCB圖二
申論 4有位醫工系學生擬將壓力感測器輸出連接至單一運算放大器的反向放大電路，進行血壓測量實驗。此壓力感測器之最大輸出直流電壓為2 mV，等效輸出電阻為2 kΩ，最大輸出直流電流限制在0.2 mA；若反向放大電路對應2 mV輸入可以產生-0.1 V電壓輸出，請計算此反向放大電路之外加輸入與回授電阻值大小。（20分）
申論 5有位醫工系學生設計一邏輯閘電路如圖三所示，請說明其工作原理、邏輯閘種類與其真值表。（20分）VDDABQ1R1voABQ2R2圖三