107 年 107年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 8假設以氟原子（F）進行矽（Si）或二氧化矽（SiO）的蝕刻時，其蝕刻率可表示為：1−Ea蝕刻率（nm/min）=A×n×T2×eRTF其中，氣體常數R=.1987 cal-K，該常數（A）及活化能（E）參數值表列如下：a材料 A EaSi 2.86 × 10-132.48 kcal/molSiO 6.14 × 10-143.76 kcal/mol15 −3假設氟原子濃度n=3×10cm，試求在溫度T=300K時，其對SiO 與Si 的蝕刻F2選擇比為何？（20 分） 看答案與解析