107 年 107年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 2砷化鎵（GaAs）於溫度T=300K時，其能隙（bandgap）E=.142eV、本質載子濃g度（intrinsic carrier concentration）n.226106cm−3；波茲曼常數（Boltzmann’s=×i,300Kconstant）k.86210−5 eV/K。設升溫至T450K時，其E 維持不變，試求砷化鎵=×=g在450 K 之本質載子濃度n =？（10 分）i,450K 看答案與解析