申論 2圖二電路中電晶體臨界電壓（threshold voltage）V (NMOS) = |V| (PMOS) = 1 V，tntp製程參數k’(W/L) = 2k’ (W/L) = 1 mA/V2，I = 2 mA，V = 5 V，V、V 為適當npQG1DDG2之直流電壓，爾立電壓（Early voltage）均為9 V，忽略基體效應（body effect）。求算輸入電阻R（不含R）與增益A = v/v。（20 分）inSvosVDDVMG22∞vo圖二VMG11∞vRsinR= 0.45 kΩS I = 2 mAQ