申論 1齊納二極體（Zener diode）之特性如圖一(a)。（每小題10 分，共20 分）㈠使用理想二極體，畫出此齊納二極體之等效電路。㈡畫出圖一(b)電路v 與v 之轉換特性曲線（transfer characteristic）。標示所有轉折os點與線段斜率。i+iR = 1 kΩD Dvvvs oD-r = 0.5 Ω+D3 V- 5 Vv-+1 VDR = 1 kΩr = 0.1 ΩD圖一(a)圖一(b)
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弱點分析
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申論 2圖二電路中電晶體臨界電壓（threshold voltage）V (NMOS) = |V| (PMOS) = 1 V，tntp製程參數k’(W/L) = 2k’ (W/L) = 1 mA/V2，I = 2 mA，V = 5 V，V、V 為適當npQG1DDG2之直流電壓，爾立電壓（Early voltage）均為9 V，忽略基體效應（body effect）。求算輸入電阻R（不含R）與增益A = v/v。（20 分）inSvosVDDVMG22∞vo圖二VMG11∞vRsinR= 0.45 kΩS I = 2 mAQ
申論 3圖三電路之放大器的開路電壓增益為A = 54 V/V，輸入阻抗R = ∞，輸出阻抗inR = 2 kΩ，求算電路電壓增益A = v/v。（20 分）ovosR = 4 kΩR = 2 kΩv(t)圖三o+v(t)R = 3 kΩsL104年公務人員高等考試三級考試試題 代號：26760 （背面）類 科： 電力工程、電子工程科 目： 電子學
申論 4圖四中兩電晶體完全匹配，其小信號參數為r = 10 kΩ以及g = 4 mA/V，omR = R = 10 kΩ，C = 100 pF，不計寄生雜散電容與基體效應（body effect）。LD（每小題10 分，共20 分）㈠以對稱半電路分析，求算低頻之小信號增益A= v/v。v odid㈡增益頻率函數中之極點與零點所對應的時間常數為何？+VDDRRDDRCL-v+odQQ+v/212id-v/2idI-VSS圖四
申論 5圖五CMOS 數位電路中，C 為時脈（clock），輸入信號A 與B，輸出信號X 與Y。依C = 0 與1 情況，分析此電路並建立X、Y 與A、B 關係之真值表。（20 分）VDDQQXYCQQCAQQQQB圖五