高普考題庫
102 年 102年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程
申論 6一般的化學溶液蝕刻劑都是等向性蝕刻劑(isotropic etchant),會往所有方向均勻地蝕刻,造成圓角的截面特徵。相對地,非等向性蝕刻劑(anisotropic etchant)比較喜歡在一個方向上蝕刻,造成由平坦且明確定義的表面所界定的壕溝或腔體。氫氧化鉀(KOH)是截至目前最常使用之矽的非等向性蝕刻劑。㈠那一個結晶平面是KOH 蝕刻速率特別低的平面?(5 分)㈡造成此結晶平面蝕刻選擇性的起源為何?(5 分)㈢什麼材料可以作為KOH 蝕刻的罩幕材料?(5 分)㈣什麼材料可以作為KOH 蝕刻停止(stop)?(5 分)