101 年 101年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 6㈠ 使用Czochralski法（CZ法）拉晶矽晶棒過程中，限制拉晶速率的主要因素為何？（6分）㈡使用CZ 法拉晶時，大部分的雜質都會被排斥而無法進入晶棒之中，只有那一種雜質會傾向進入矽晶棒？為什麼？（6 分） 看答案與解析