申論 2在室溫300 K 時，電子的擴散係數D 35 cm 2/s與遷移率n1350 cm 2/V-s。考慮某n 型矽半導體在x 0處的電子濃度分布可表n示為n ( x)5 1015ex /Lcm3，其中L2 103cm。另外，在此半導體還nn存在一個x方向的固定電場E 150 V/cm。已知電子電荷q1.6 1019C；波茲曼常數k8.62 105eV/K；本質載子濃度n1.5 1010cm3。請回答以下子題：i㈠寫出愛因斯坦關係式（Einstein relation），及說明此關係式之物理意義？（5 分）㈡計算在x 0處電子的漂移電流密度（drift current density）大小？（10 分）㈢計算在x 0處電子的擴散電流密度（diffusion current density）大小？（10 分）