申論 1在室溫300 K 時，摻雜雜質完全解離的情況下，若在某矽半導體試片中僅摻雜濃度等於N 的施體。請回答以下子題：D㈠若此試片中的電子濃度與電洞濃度分別以n 與p 表示，以及本質載子濃度以n 表示。請用數學式子分別表示此矽半導體之電中性（chargeineutrality）與質量作用定律（mass-action law），並說明其意義？（10 分）㈡如果此試片中的電洞濃度等於5 103 cm3、5 10 9cm3或1.5 1010cm3，試計算摻雜濃度N 分別等於多少？已知電子電荷Dq1.6 1019C與本質載子濃度n1.5 1010cm3。（15 分）i