半導體工程 113年第1題｜砷化鎵（GaAs）半導體在T=300 K 之本質載子濃度n …

113 年 113年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程

申論 1砷化鎵（GaAs）半導體在T=300 K 之本質載子濃度n =1.810cm，其i施體雜質與受體雜質濃度分別為N=210cm及N=0，且為完全解離。×DA假設電子與電洞之遷移率分別為μ=8500 cm2/V-s 及μ=400 cm2/V-s；單位np電量q=1.610C。試求：㈠電子與電洞濃度分別為何？（10 分）㈡若外加電場為E=15 V/cm，其漂移電流密度為何？（10 分）