114 年 114年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 4㈠何謂次閾值斜率（subthreshold slope）？請說明它的單位是什麼？（10 分）㈡在金氧半場效電晶體模型（MOSFET model）有一表面遷移率（surfacemobility），它和一般塊晶體（bulk crysral）的遷移率比較，何者的值比較高？請說明原因。（10 分） 看答案與解析