申論 4有一簡易的矩型蒸鍍機（如下圖），底部放置一矽晶片並加熱進行化學蒸→鍍（chemical vapor deposition, CVD），其反應為：AB + 3E(g)(s)(g)A為前驅物與惰性氣體氦氣（He）一起進入，經過擴散板（diffuser）擴散至晶片表面，藉由下方加熱板升溫將前驅物A熱裂解，B分子則沉積在晶片表面形成薄膜，氣體E與He經由擴散由左側排出。假設⑴在擴散板與晶片之間無流動或擾動之靜止狀態（quiescent），且無任何裂解反應發生，⑵裂解反應只發生在晶片表面且為非常快速反應，⑶薄膜B的厚度遠小於δ。請推導在穩態（steady state）下晶片表面A的質量通量（mass flux，N）AZ為何？（25分）Hint：D為A在E中的擴散係數；莫爾分率y = y at z = 0；氣相中的總濃AEAAo度為C。進料A(g)+He擴散板z = 0AE(g)(g)薄膜B(s)晶片靜止狀態z = δ加熱板