112 年 112年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 5矽的Deal-Grove 熱氧化模型公式：D+ A D = Bt，公式中D 為氧化層厚度、t 為氧化時間、A 與B 為參數。求氧化速率dD/dt。由反應物在氧化層經由擴散到氧化層與矽介面進行氧化的模型來分別說明在D<<A 與D>>A 兩種狀況下，氧化層厚度與時間關係。（20 分） 看答案與解析