112 年 112年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 3考慮一個陡峭（abrupt）P+N接面，兩邊的雜質濃度分別為N與N；ADN>>N。若接面處於平衡狀態，請由載子擴散、復合的觀點來說明接面AD空乏區（depletion region）、內建電場（built-in electric field）的生成機制，並指出內建電場的指向。若接面由內建電場產生的內建電位為V，空乏bi區寬度為W；以空乏區近似法表出W與V的關係式。半導體的介電係數為biε，單位電荷為q。（20分） 看答案與解析