高普考題庫
112 年 112年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・電子學
申論 1對於增強型（Enhancement Mode）P-channel MOSFET電晶體。（每小題10分，共20分）㈠試說明閘源極電壓（Gate-source Voltage）和汲源極電壓（Drain-sourceVoltage）與汲極電流（Drain Current）的關係。㈡繪製閘源極電壓和汲源極電壓與汲極電流關係的電流—電壓圖（i-vcurve）。