材料科學導論 108年第4題｜㈠當B 加入Si 中進行摻雜反應後，在原主體材料中是否會產生…

108 年 108年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・材料科學導論

申論 4㈠當B 加入Si 中進行摻雜反應後，在原主體材料中是否會產生新的電子或電洞之點缺陷，請說明其理由。（5 分）㈡當ZnO 加入AlO 中進行摻雜反應後，在原主體材料中是否會產生新的電子或電洞之點缺陷，請說明其理由。（5 分）㈢請寫出一般缺陷數量與溫度的關係式。（4 分）㈣請提出三種減少缺陷的方法。（6 分）