高普考題庫
108 年 108年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・材料科學導論
申論 2㈠X 光繞射為分析材料晶體結構的重要方法,請自行畫圖及列式證明Bragg’sLaw。(10 分)㈡某一材料為BCC 結構,其晶格邊長為0.26 nm,若X 光波長為0.154 nm,反射order 為1 時,請計算(222)面的面間距。(10 分)