半導體工程 105年第3題｜一理想金氧半場效電晶體（MOSFET），臨界電壓V=1V，介…

105 年 105年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程

申論 3一理想金氧半場效電晶體（MOSFET），臨界電壓V=1V，介電層（SiO）厚度10 nm，th2SiO 介電係數3.9，ε=.8854×10−14F/cm。（每小題10 分，共20 分）ε㈠若汲極飽和電壓與飽和電流分別為5.2V與5mA，請繪出汲極電壓範圍0≤V≤5Vds之輸出特性曲線並求對應此曲線之閘極電壓V 。gs㈡求於V=V=4.5V偏壓下之汲極電流I以及於源極端與汲極端之單位面積反轉dsgsds層電荷量。