申論 2對一半導體進行霍爾效應量測（Hall effect measurement），磁場B 是由外垂直指向頁面，外加電場E 方向指向右邊，量測所得到的霍爾電場E 是由上往下，如下圖H所示，且此半導體的長度、寬度、高度分別為l、d、h，量測所得到的電流密度為J，則：× × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × ×d EH× × × × × × × × × × × ×電場 E× × × × × × × × × × × ×l㈠多數載子會在上圖半導體那一邊堆積？此半導體為n 型抑或是p 型？（5 分）㈡求多數載子的遷移率（majority carrier mobility）。（5 分）㈢求多數載子的濃度（majority carrier concentration）。（5 分）