96 年 096年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 1DRAM 記憶體單元是由一個電晶體與一個電容所組成。若記憶體面積為1µm2，且電容具4 nm 之SiO介電層，又工作電壓為2V，請問有多少電子儲存在記憶體單元。（SiO 介電常數：3.9）（10 分） 看答案與解析