115 年 115年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 4現代半導體的先進CMOS 製程技術中會有許多道離子佈植步驟，請回答以下與離子佈植製程相關之兩子題：㈠說明通道效應（channeling effect）的成因以及通道效應對離子佈植製程的影響，並指出一種製程上可改善的方法。（10 分）㈡請就一n 型MOSFET 元件中的LDD（lightly doped drain）、halo 與APT（anti-punch through）等三項離子佈植步驟，說明其主要目的與植入雜質型式（n 型、p 型或均可）。（15 分） 看答案與解析