高普考題庫
103 年 103年公務人員高等考試三級考試暨普通考試

電子學概要

這科隨機練其他年份

本卷皆為申論題，點「看答案與解析」查看擬答。

申論 1試畫出一互補式金氧半場效電晶體（CMOS）之剖面圖（cross-section），請清楚標示所使用之各項半導體物質與節點名稱，並解釋源極（Source）與汲極（Drain）之間通道長度調變效應發生之原因。（20 分）
申論 2如圖一所示電路，所有MOSFET 的轉導（transconductance）等於g，輸出電阻皆m為r，試推導圖一中之輸出電阻R =？（20 分）
申論 3圖二所示電路中，BJT 電晶體之共射極順向短路電流增益β = 150，I = 0.6 mA，FbiasV約為0.7 V，熱電壓V為24 mV，耦合電容C 接近無限大。BET㈠試計算直流集極電流及集極電壓。（10 分）㈡畫出此放大器之小訊號等效電路圖。（10 分）㈢求出放大器電壓增益v/ v =？（10 分）o iVDDIbiasCvo300 kΩC30 kΩvi200 Ω圖二103年公務人員普通考試試題 代號： 44260類 科： 電力工程、電子工程、電信工程科 目： 電子學概要
申論 4圖三所示放大器電路中，MOSFET 電晶體製程參數如下：k’ = μC = 800 μA/V2，nnoxk’ = μC = 450 μA/V2，輸出電阻r 為200 kΩ；所有的電晶體尺寸W/L = 10，ppoxoI = 100 μA。假設M的內部寄生電容C = 20 f F ，C = 5 f F ，負載電容C = 25 f FREF1gsgdL且C已涵蓋M所引入之所有寄生電容，R = 10 kΩ。L2sig㈠忽略寄生電容，試求放大器之電壓增益v/ v =？（10 分）o i㈡使用米勒定理，計算此放大器之高頻3 dB 頻率f。（10 分）H㈢使用開迴路時間常數法，計算此放大器之高頻3 dB 頻率f。（10 分）HVDDMMvoRsigvMIi 1 CLREF圖三