高普考題庫
103 年 103年公務人員高等考試三級考試暨普通考試

電子學

本卷皆為申論題,點「看答案與解析」查看擬答。

申論 1如圖一所示為一帶隙基準電壓源(bandgap reference voltage source)。試推導所需的方程式以便證明當V=1.283 V 時 δV/δT=0。假設V 溫度係數為 −2.5 mV/ °C ,oo BEQ 的集極電流為100 μA,元件的飽和電流為I=1.2×10-13 A,波茲曼常數k=1.38×10-23 J/K,3S電荷為q=1.6×10-19 C。(20 分)+V +VIIBBRRRR2II2II1 2QQVV oQQ2oQQ11RR圖一
申論 2如圖二所示為通用型主動濾波器之電路實現。試描述如何設計此主動濾波器及選取其中被動元件值。假設極點頻率(pole frequency)為ω、極點品質因素(poleoquality factor)為Q 及此濾波器V 輸出端的高頻增益為K。(20 分)hpRR1RRfCCf CCRRVVRR2RRi i2VVlplpVVhp hpVVbpbpRR3圖二103年公務人員高等考試三級考試試題 代號: 26660類 科: 電力工程、電子工程、電信工程科 目: 電子學
申論 3如圖三所示為以電容及電阻做回授頻率補償的兩級式CMOS 運算放大器,以波得圖說明此種頻率補償如何讓此運算放大器操作由沒有回授頻率補償之不穩定轉為穩定操作?(20 分)+V+VDD DDMMM5 MM8 85M7--++MMMM υ1 122 vooCCCRC RIIREFREFMM33 MM4 4MM6--VVSSSS圖三
申論 4如圖四所示為一運算傳導放大器(Operational Transconductance Amplifier),試以電路小訊號參數推導此放大器的:(每小題10 分,共20 分)㈠電壓增益。㈡說明負載電容值愈大其相位邊界(phase margin)愈大。+V+VDD DDMM3 3MM4VVbias1bias1 MM5MM3CMM4C5 3C 4Cvυoo++ --MM1MM22 MMMMC1 1C1C 2C 2CCLLVVbias2bias2MM6 6MM7VVbias3bias3--VVSSSS圖四
申論 5如圖五所示之電路:(每小題10 分,共20 分)㈠試推導其邏輯函數F。㈡設計並畫出僅使用NOR 邏輯閘的電晶體層次(transistor-level)CMOS 電路來實現此函數。AABBAAFFBB圖五