申論 1圖一(a)NPN 電晶體之埃伯斯莫爾（Ebers-Moll）模型如圖一(b)，電流之數學式與電流增益β、β、α與α之關係如圖一(c)，其中I、I分別為E-B 與C-B 接面之飽和電FRFRESCS流（saturation current），V=25 mV 為熱能電壓（thermal voltage）。當電晶體工作T於主動區，推導電晶體在偏壓點V、I 之小信號轉導（transconductance）g。BEQCQm（10 分）αiαiRCD FEDCi=I(evBE/VT−)1EDESiiECi=I(ev/V−)1BCTCDCSB E C ααβ=R,β=F-ii- R1−αF1−αED CDRFvvBE BCE +B+圖一(a) 圖一(b) 圖一(c)
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申論 2圖二(a)MOSFET 之W/L 註明於各晶體旁側，k'=k'=100 μA/V2，臨界電壓npV=|V|=1 V，NMOS 之電流電壓關係式如圖二(b)，tntp㈠求算V、V。（10 分）㈡求算V。（10 分）+5 V⎧1⎛′W⎞()k⎜⎝⎟⎠V−V2⎪nGStR2L⎪M M 3 =12ΩI⎨1.6 kD10/1 5/1 ⎪⎛′W⎞⎡()1⎤V⎪k⎜⎝⎟⎠V−VV−V2V 3 n⎢⎣GStDSDS⎥⎦1⎩L225/1V2MR R 31 kΩ 2.5 kΩ圖二(a) 圖二(b)
申論 3圖三電路中R=R=R=R=10 kΩ，R=5 kΩ，A= –103 V/V，C=20 pF，sig1243o求A(s)=V/V。（10 分）
申論 4圖四之串並（series-shunt）迴授放大器，β=0.1，μ=1440 V/V，R=R=R=1 kΩ，insiβR=25 kΩ，R=R=50 kΩ。ooβL㈠求算放大器電壓增益A =V/V。（5 分）vfos㈡求算由R 往右側看之迴授放大器輸入電阻R。（5 分）sif㈢求算由R 往左側看之迴授放大器輸出電阻R。（10 分）LofRRs o+ + ++R+RV inV -μVLVsV+iio- f---Ra bRifVofβ≡ f=1.0Va' ob'R Riβoβ圖四
申論 5圖五(a)與圖五(b)之AB 類放大器中，±V=±5 V，Q 與Q 在飽和時|V|=0.3 V，且CCNPCE其|V|達0.7 V 始導通，以v 為橫軸，v 為縱軸，在–6 V 至+6 V 之間，畫出圖五(a)BEIO與圖五(b)電路之v-v轉換特性（transfer characteristic），標示特性曲線之各轉折點。IO（20 分）+V +VCCCCIBIASQQQN 1Nv vvIO OQR RQLvQ LPIP-V -VCCCC圖五(a) 圖五(b)
申論 6A、B、C、D 與Y 均為二進位布林（Boolean）變數。以雙輸入NAND 邏輯閘設計電路，實現：㈠Y=AB+CD，並解釋電路之工作原理。（10 分）㈡Y=AB+AB，並解釋電路之工作原理。（10 分）