申論 1一個pn接面其摻雜濃度為N= N= 1016/cm3，接面的截面積為100 μm2，假設本質A D濃度n= 1010/cm3。i㈠計算接面的內建電壓（built-in voltage）。（5 分）㈡當未加外加電壓時，求空乏區寬度（W），以及它伸展入p區及n區的寬度。（5dep分）㈢求儲存在接面任一邊的電荷大小。（5 分）㈣計算接面電容C。（5 分）j（註：矽材料之介電係數為11.7ε = 1.04 × 10-12 F/cm，V= kT/q = 0.025V）0T1FETV= 2Vk ′(W/L) = 1 mA/V2V= 4VV = 10V
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弱點分析
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申論 2考慮圖 之放大器，若，，，，且t (on) nGS DDR = 3.6 kΩ。D㈠求直流偏壓I與V。（5 分）DD㈡計算在偏壓點之互導g值。（5 分）m㈢計算電壓增益值v/v。（5 分）dgs㈣若FET之λ= 0.01V-1，求偏壓點之r並計算電壓增益。（5 分）oVDDiRDDvD+v+gs-vGSV-GS圖1101年公務人員普通考試試題 代號：4406044160 （背面）類 科： 電力工程、電子工程、電信工程科 目： 電子學概要
申論 3㈠將圖2 電路的v表示成v與v的函數。（5 分）O12㈡由v看到的輸入電阻為何？（5 分）㈢由v看到的輸入電阻為何？（5 分）㈣由連接在兩個輸入端之間的信號源看到的輸入電阻為何？（5 分）RRv++vOvR R圖2
申論 4邏輯反相器的電壓轉移特性用三條直線來近似，如圖3 所示。若V= 1.5V，VIL IH= 2.5V，V= 0.5V，且V= 4V，求：OL OH㈠雜訊邊限NM與NM。（7 分）HL㈡v= v 時的v值。（7 分）
申論 5一功率電晶體之T= 180℃，於外殼溫度50℃時可散逸50W。Jmax㈠若使用絕緣套環將之接到散熱器，其熱阻為0.6℃/W，散熱器溫度須為多少才能保證在30W 安全操作？（7 分）㈡若環境溫度為39℃，所需的散熱器熱阻為多少？（7 分）㈢若一特別的鋁散熱器在停滯的空氣下每cm 長的熱阻為4.5℃/W，需要的散熱器長度為何？（6 分）