高普考題庫
97 年 097年公務人員高等考試三級考試暨普通考試

半導體工程

本卷皆為申論題,點「看答案與解析」查看擬答。

申論 1請分析一原子半徑為0.225 nm 且具面心結構之晶體(設原子為硬球體),其㈠該晶體之原子體積密度為何?㈡相鄰(110)平面間之距離;㈢原子在(110)面上之表面密度。(15 分)
申論 2請以能帶圖說明何種情況金屬與p-type 半導體將有機會形成歐姆接觸。(10 分)
申論 3何謂穿隧二極體(tunnel diode)?試繪出其能帶圖並說明電流-電壓之關係。(15 分)
申論 4請說明發光二極體之工作原理,並說明如何提升其發光效率。(10 分)
申論 5請說明愛因斯坦關係式為何?何謂載子漂移率?其單位為何?(20 分)
申論 6以n-type Si 為基板,請說明形成pn 接面之步驟。(20 分)
申論 7請說明磊晶與鍍膜之差異。(10 分)