申論 1半導體偵檢器大致可分為，Si(Li)及Ge(Li)二大類，請分別比較該二種偵檢器，㈠偵測光子與粒子輻射之能力、㈡能量解析度、及㈢偵測效率，各有何優缺點？（15 分）
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弱點分析
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申論 2請簡要敘述金氧半導體場效偵檢器（Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransmitter，MOSFET）之工作原理？並用於輻射偵測時，有何優缺點？（15 分）
申論 3請分別敘述使用㈠膠片㈡熱發光劑量劑㈢玻璃劑量劑，作為個人型劑量配章之優缺點。（15 分）
申論 4今有一偵檢器量測放射性同位素，於二分鐘內產生3124 計數，另偵測到二分鐘之背景值有1604 計數，試問其淨計數率（net count rate）及其標準差（standarddeviation）各為何？（15 分）
申論 5在設計阿伐偵檢器、貝他偵檢器、光子偵檢器與中子偵檢器時，就其所偵測之輻射線特性，請分別敘述其㈠作用之工作原理，㈡所選用之材質及其理由。（20 分）
申論 6請就碘化鈉NaI(Tl)偵檢器於偵測Cs-137 與Co-60 時，試繪出所產生之能譜各為何？並請分別敘述何為㈠Backscatter region ㈡Compton region ㈢Compton edge 及㈣Photopeaks？（20 分）