高普考題庫
96 年 096年公務人員高等考試三級考試暨普通考試

電子學概要

這科隨機練其他年份

本卷皆為申論題，點「看答案與解析」查看擬答。

申論 1試說明NPN 電晶體之工作原理及功能。（15 分）
申論 2試繪圖說明圖1（a）及（b）基本限制電路的v-v（輸出-輸入）轉換特性曲線。oI（20 分）Rv vIo5 V圖1（a）RZvvIoZ圖1（b）
申論 3圖2 所示為一增強型NMOS 電晶體的截面圖。（20 分）㈠試說明其工作原理。㈡試繪圖說明i-v（汲極電流-汲極電壓）的特性曲線。DDS㈢試標示特性曲線中不同區域。源極(S)閘極(G)汲極(D)氧化層(SiO)金屬n+n+通道區Lp 型基板(本體)本體(B)圖2年公務人員普通考試試題 代號：43660 （背面）類 科： 電力工程、電子工程科 目： 電子學概要
申論 4圖3 所示為一基本的BJT 電流鏡，若BJT 的電流放大倍數為β，試求I 與I 間的oREF關係。（15 分）IIoREFVoQ1Q2＋VBE－圖3
申論 5圖4 所示為一NMOS 放大器，其臨限電壓（threshold voltage）V 為1V，試求在此t操作點之下，汲極與源極間的等效電阻r 為多少？且求R 值。已知此NMOS 之DSDKn’（W/L）= 1mA/V2。（20 分）V= +10VDDIDRVD圖4
申論 6試說明A 類、B 類及AB 類放大器特點。（10 分）