申論 1下圖電路V = V = 5 V，I = 1 mA，電晶體M與M具有相同的長度DDSSD212（L），但其寬度比W/W= 5，電晶體參數：k’(W/L) = 1 mA/V2，V = 0.8 V。21n1t㈠求算R 值。（10 分）㈡當M 操作於飽和區時，求算v 最小電壓。（10 分）2D2VDDRID2vD2MM-VSS
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弱點分析
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申論 2下圖電路R = 0.5 k，R = 0.5 k，R = 1 k。12L㈠假設運算放大器為理想，二極體D 的電壓電流關係式為iIev /V1，V = 25.3 mV，且當1 mA 流過D 的跨壓為0.8 V。當TT1sv = 2 V，求算v。（10 分）IA㈡假設運算放大器增益為50，二極體跨壓為固定的0.8 V，當v = 3 V，I求算v。（10 分）OvDIv1AvORRLR
申論 3下圖電路R=125k，R=250k，R=250k，R=4k，R=2k，sigG1G2DSR = 4 k，V = 5 V，電晶體參數：V = 1 V，V = 50 V。LDDtA㈠當電晶體I = 0.5 mA 及V（overdrive voltage）= 0.5 V，求算增益DOVG = v/v（僅直流分析時可忽略通道調變效應）。（8 分）vOsig㈡假設v 為弦波信號且電晶體操作於飽和區，求算v 可允許的最大峰sigsig值與相對應的v。（12 分）DVDDRDRG1CC2vDvRCosigC1M1CSRLvRsigG2RS
申論 4下圖電路R = 10 k，R = 1 k，R = 1 M，R = 2 k，運算放大器參S12L數：開路增益A = 1000，輸入差動阻抗R = 100 k，輸出阻抗R = 1 k。vido㈠求算閉迴路增益V/V。（10 分）oi㈡求算R。（10 分）inRSViVoRinRRLR
申論 5㈠CMOS 邏輯包含上拉網路（pull-up network）與下拉網路（pull-downnetwork），試畫出CMOS 邏輯YDABC之電路。（10 分）㈡下圖為一反相器電路的標準元件，若要求第㈠小題CMOS 邏輯需與此標準反相器有相似的傳遞時間，請標示第㈠小題CMOS 邏輯電路中每顆電晶體的寬長比（W/L）。（10 分）W3 μmL1 μmInOUTW1 μmL1 μm