申論 1目前常用半導體有三大結構半導體，分別為鑽石結構，閃鋅礦結構，與六方晶系，請繪出此些結構，並說明其異同。（10分）
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弱點分析
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申論 2一矽晶棒摻雜砷原子10atoms/cm，請分析室溫之電子與電洞載子濃度，並畫出能帶中之費米能階。Note：n for Si is 9.6510/cm。（12分）i
申論 3請寫出p-type半導體中之連續方程式，並說明此些項次受何影響。（10分）
申論 4如果一半導體存在表面複合，請畫出少數載子從表面至內部之濃度分布圖，並標示出平衡濃度與lifetime相關之資訊。（10分）
申論 5請說明二極體空間電荷與空乏區之定義。若一二極體具有N= 1018/cm3，AN = 10/cm，請計算其內建電壓。（9分）D
申論 6離子佈植至單晶半導體，垂直植入和傾斜角度植入會有何差異？（10分）
申論 7何謂磊晶成長？為何需要異質磊晶成長？異質磊晶成長須滿足那些條件？（12分）
申論 8請說明發光二極體之發光機制，並說明主要發光位於二極體之何處。（10分）
申論 9兩種不同材料之能帶圖如圖(一)，請畫出異質接面之能帶圖。（5分）圖(一)
申論 10請畫出一金屬/氧化層/p-type半導體結構如圖(二)之平衡能帶圖，其中金屬電子親和力為q，氧化物厚度d，氧化層電子親和力為qχ，p-type半導體m ≫ i電子親和力為qχ，功函數q，其中q > qχ，並說明此能帶圖在三種不同sm電壓（V < 0、V > 0及V0）作用時會產生那三種變化？（12分）p-type Si圖(二)